书目详细信息
： 纳米CMOS器件及电路的辐射效应
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-121-40841-0:CNY79.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 纳米CMOS器件及电路的辐射效应/.刘保军，刘小强，刘忠永著 |
| 出版发行项： | 北京:,电子工业出版社:,2021 |
| 载体形态项： | 253页:;+图:;+24cm |
| 提要文摘： | 本书主要介绍广泛存在的各种辐射对纳米CMOS器件及其电路的影响，涵盖了各种辐射环境分析、电离损伤机理研究、纳米器件的总剂量效应和单粒子效应的建模仿真、辐射效应对纳米电路的影响及辐照实验设计等，综合考虑器件特征尺寸缩减对辐射效应的影响，从器件、电路角度建模分析，给出了纳电子器件及其电路的辐射效应的分析方法和思路。 |
| 题名主题： | 半导体器件 纳米材料 |
| 中图分类： | TN303 |
| 个人名称等同： | 刘保军 著 |
| 个人名称等同： | 刘小强 著 |
| 个人名称等同： | 刘忠永 著 |
| 记录来源： | CN rh 20220802 |