书目详细信息
： 硅集成电路工艺基础
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-301-24109-7:CNY52.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 硅集成电路工艺基础/.关旭东编著 |
| 版本项： | 2版 |
| 出版发行项： | 北京:,北京大学出版社:,2014 |
| 载体形态项： | 10,391页:;+图:;+23cm |
| 一般附注： | 普通高等教育“十五”国家级规划教材 21世纪微电子学专业规划教材 |
| 提要文摘： | 本书讲述了硅集成电路制造的基础工艺，重点放在工艺物理基础和基本原理上。全书共十一章，第一章简单地讲述了硅的晶体结构和非晶体结构及其特点，第二章到第九章分别讲述了硅集成电路制造中的基本单项工艺，包括氧化、扩散、离子注入、物理气相淀积、化学气相淀积、外延、光刻与刻蚀、金属化与多层互连，最后两章分别讲述的是工艺集成和薄膜晶体管的制装工艺。 |
| 并列题名： | Fundamentals of silicon integrated circuit technology eng |
| 题名主题： | 硅栅MOS集成电路 高等教育 教材 |
| 中图分类： | TN432 |
| 个人名称等同： | 关旭东 (微电子学) 编著 |
| 记录来源： | CN ZL 20140618 |