书目详细信息
： 氮化镓电子器件热管理
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-111-76455-7:CNY168.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi eng |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 氮化镓电子器件热管理/.(美)马尔科·J. 塔德尔(Marko J. Tadjer)，(美)特拉维斯·J. 安德森(Travis J. Anderson)主编/.来萍[等]译 |
| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2025 |
| 载体形态项： | 14,415页:;+图:;+24cm |
| 丛编项： | 先进半导体产业关键技术丛书 |
| 提要文摘： | 本书概述了业界前沿研究者所采取的技术方法，以及他们所面临的挑战和在该领域所取得的进展。内容包括：宽禁带半导体器件中的热问题、氮化镓(GaN)及相关材料的第一性原理热输运建模、多晶金刚石从介观尺度到纳米尺度的热输运、固体界面热输运基本理论、氮化镓界面热导上限的预测和测量等。 |
| 并列题名： | Thermal management of gallium nitride electronics eng |
| 题名主题： | 氮化镓 电力半导体器件 |
| 中图分类： | TN303 |
| 个人名称等同： | 塔德尔 (美) (Tadjer, Marko J.) 主编 |
| 个人名称等同： | 安德森 (美) (Anderson, Travis J.) 主编 |
| 个人名称次要： | 来萍 译 |
| 记录来源： | CN JTXY 20260312 |