书目详细信息
： 纳米CMOS电路和物理设计
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 9787111330837:CNY98.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi eng |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 纳米CMOS电路和物理设计/.(美)BAN P. WONG[等]著/.辛维平等译 |
| 出版发行项： | 北京:,机械工业出版社:,2011 |
| 载体形态项： | 13,345页:;+24cm |
| 丛编项： | 国际信息工程先进技术译丛 |
| 提要文摘： | 本书将纳米工艺、器件可制造性、先进电路设计和相关物理实现等内容整合到一起，形成了一套先进的半导体技术，探讨了器件和工艺的新发展，提供了设计考虑，重点关注了技术与设计的相互影响，并且描述了可制造性设计和波动性的影响。 |
| 并列题名： | Nano-CMOS Circuit and Physical Design eng |
| 题名主题： | 纳米材料 互补MOS集成电路 集成电路 电路设计 |
| 中图分类： | TN432 |
| 个人名称等同： | 王班 (美) (Wong, B. P.) 著 |
| 个人名称次要： | 辛维平 译 |
| 记录来源： | CN 蓝天数据编目 20120707 |